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| 您現在的位置： 武漢普賽斯儀表有限公司 > 供應信息> 半導體器件I-V測試系統分立器件檢測儀 |
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半導體分立器件是指以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等，具有整流、放大、開關、檢波，穩壓、信號調制等多種功能，衡量晶體管性能好壞主要是通過I-V測試或C-V測試來提取晶體管的基本特性參數，并在整個工藝結束后評估器件的優劣。
半導體分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，如數字表、電壓源、電流源等。然而由數臺儀器組成的系統需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。而且使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發操作，有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點。
實施特性參數分析的~佳工具之一是數字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態范圍、率先國產化的源表系列產品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體。可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載。其高性能架構還允許將其用作脈沖發生器，波形發生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統，支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結果。
普賽斯源表輕松實現二極管特性參數分析
二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導電性元器件，產品結構一般為單個PN結結構，只允許電流從單一方向流過。發展至今，已陸續發展出整流二極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應用于整流、穩壓、保護等電路中，是電子工程上用途~廣泛的電子元器件之一。IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性等；
普賽斯S系列、P系列源表簡化場效應MOS管I-V特性分析
MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體器件，可以廣泛應用在模擬電路和數字電路當中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導gm、輸出電阻RDS等。
三極管符號.png
普賽斯數字源表快速、準確進行三極管BJT特性分析
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區。設計電路中常常會關注的參數有電流放大系數β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極~大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數。
普賽斯五合一高精度數字源表（SMU）在半導體IV特性測試方面擁有豐富的行業經驗，為半導體分立器件電性能參數測試提供全面的解決方案，包括二極管、MOS管、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等。此外，普賽斯儀表還提供適當的電纜輔件和測試夾具，實現安全、精確和可靠的測試。欲了解更多半導體器件I-V測試系統分立器件檢測儀的信息，歡迎隨時來電咨詢普賽斯儀表！詳詢一八一四零六六三四七六；
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產品名稱：半導體器件I-V測試系統分立器件檢測儀 |
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