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| 您現在的位置： 武漢普賽斯儀表有限公司 > 供應信息> SiC GaN三代半功率器件參數分析儀 |
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PMST系列功率器件靜態參數測試系統，是普賽斯儀表經過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統。該系統不僅具備IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著優勢。它能夠全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的卓越表現。
此外，普賽斯儀表功率半導體靜態參數測試解決方案還支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實現高效和可重復的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從pA級、mV級高精度源表到kA級、10kV源表，普賽斯的產品解決了國內企業在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產化問題，并在客戶IGBT產線上推出了多條測試示范線，引領了國內IGBT測試的技術潮流。詳詢18140663476
“雙高”系統優勢
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)
高精度測量
nA級漏電流, μΩ級導通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試效率高
內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
擴展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯數字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產品豐富，詳詢一八一四零六六三四七六；
本產品網址：http://m.338jjj.com/sjshow_507810677/
手機版網址：http://m.vooec.com/trade_507810677.html
產品名稱：SiC GaN三代半功率器件參數分析儀 |
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